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NCV840x：安森美推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅動IC
首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車及工業工作環境中的開關應用。
2009-12-21
安森美 汽車標準 自保護 MOSFET 驅動IC
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能源革命為微電子產業提供新機遇
在過去10年中，中國的GDP與能耗基本上是同比例增加的。從單位GDP(國內生產總值)的能耗來看，根據國家統計局提供的數據，當前中國1億美元GDP所消耗的能源是12.03萬噸標準煤，大約是日本的7.2倍，是德國的5.62倍，是美國的3.52倍，是印度的1.18倍，是世界平均水平的3.28倍。中國的GDP要趕超美國，如果...
2009-12-21
能源革命 微電子 新機遇 GDP 低能耗
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Sistema稱正與俄羅斯政府攤旁合伙收購英飛凌
12月15日消息，俄羅斯Sistema公司總裁今日表示，公司正在就俄羅斯政府可能收購英飛凌股份一事中成為俄方合作伙伴之一進行談判。英飛凌是德國最大的芯片制造商。
2009-12-21
英飛凌 芯片制造 Sistema 收購
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2010十大科技猜想：超級電容車將面世
美國某雜志網站近日對2010年的科技發展趨勢進行了分析，并預測2010年或將取得重大研究進展的十大科技產品或科技概念，其中包括仿人機器人、“超級電容”動力汽車，和直接碳燃料技術等。
2009-12-21
2010 科技猜想 超級電容車 機器人
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OPA653/OPA659：TI推出業界速度最快的JFET輸入放大器
德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運算放大器，其可實現3 倍于同類競爭產品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應。
2009-12-21
OPA653 OPA659 TI JFET 放大器
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電子元器件業景氣期將至 相關公司擴張產能
電子元器件類上市公司近期的擴張產能動作趨于頻繁。通富微電近日公告，將在未來三年投入10億元進行產能擴張。此前，拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產線項目，華天科技董事會審議通過DFN型微小形封裝集成電路生產線技術改造項目，總投資為2億元。
2009-12-21
電子元器件 景氣期將至 公司擴張 半導體
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DDR測試系列之二——使用力科WaveScan技術分離DDR讀寫周期
測量DDR2存儲設備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關系可以區分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時Strobe的跳變則領先于Data。我們利用這種時序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
DDR測試 力科 WaveScan 分離讀寫周期
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DDR測試系列之三—— 某SDRAM時鐘分析案例
SDRAM時鐘分析案例:串聯匹配是較好的SDRAM的時鐘端接策略，在原理圖設計中，需要加上串聯的電阻和并聯的電容，如果MCU輸出的時鐘驅動能力弱，可以不使用并聯的電容或者換用較小的電阻。準確的測量內存時鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無源探頭在高頻時阻抗太小，不能準確的測量波形，需要使用高帶...
2009-12-18
DDR 測試 SDRAM 時鐘分析
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東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件
東京大學研究生院工學系研究專業附屬綜合研究機構與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術。
2009-12-18
東大 晶圓 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW項目 硅
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