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業(yè)界最小3 x 3 mm節(jié)能PCIe時鐘發(fā)生器
近日，Silicon Labs推出業(yè)界最小最節(jié)能的PCI Express時鐘發(fā)生器Si52111和Si52112，可降低，消費、嵌入式、存儲、服務器和通信等應用的功耗和設(shè)計復雜度。適用于空間受限、對功耗敏感，以及需要工業(yè)標準PCIe連接的消費類電子產(chǎn)品。
2013-05-25
PCIe 時鐘 發(fā)生器 Si5211x
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SICK推出IMP High Pressure 液壓系統(tǒng)中的耐高壓電感式接近傳感器
電感式接近開關(guān)IMP主要針對液壓系統(tǒng)內(nèi)部有耐高壓需求場合的金屬部件檢測而開發(fā)，特別是液壓缸內(nèi)部需要直接與壓力油接觸的場合。針對這一典型應用， IMP提供了極具市場競爭力的產(chǎn)品性能。
2013-05-23
液壓系統(tǒng) 接近傳感器
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第四講：基于GaN的高能效設(shè)計
根據(jù)Yole Development公司的研究報告預測，氮化鎵器件的全球市場份額在2011年至2015年間的年同比增長率為250%，而碳化硅器件在同期的年同比增長率則只有35%。氮化鎵目前被推薦為極具潛力的材料，可以應用于廣闊的領(lǐng)域，包括無線電源傳送、射頻直流-直流波峰追蹤及高能量脈沖激光等應用。本文將為大...
2013-05-22
氮化鎵 PSE轉(zhuǎn)換器
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IR推出低至0.75 mΩ的導通電阻的40V汽車級COOLiRFET TM
近日，國際整流器公司推出汽車級COOLiRFET MOSFET系列，在額定電流高達240A時能提供低至0.75 mΩ的導通電阻，導通損耗低，雪崩性能強大，能夠帶來更高的效率、功率密度和可靠性。
2013-05-21
IR 導通電阻 COOLiRFET TM
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英飛凌推出最低硬開關(guān)通態(tài)電阻的CoolMOS C7技術(shù)
英飛凌科技股份公司推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7，為硬開關(guān)應用帶來全球最低的通態(tài)電阻.C7快速開關(guān)性能可使客戶服務器PFC級首次實現(xiàn)100 kHz以上開關(guān)頻率，同時達到鈦級能效。這可降低對無源組件空間要求，從而提高功率密度。
2013-05-21
英飛凌 CoolMOS C7 通態(tài)電阻
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線上做設(shè)計，大獎等你拿——第二屆EPLAN杯電氣工程設(shè)計大賽拉開帷幕
5月20日，由EPLAN中國銷售及服務中心主辦的“走近EPLAN，走進機電一體化—— 暨第二屆EPLAN 杯電氣工程設(shè)計大賽”在中國工控網(wǎng)已正式上線。活動將面向所有工業(yè)領(lǐng)域用戶，根據(jù)自身的設(shè)計工作和經(jīng)歷，使用EPLAN Education 2.2.5完成一個包含電氣原理圖、報表、三維機柜布置與布線的項目，于活動截止期之前...
2013-05-20
電氣工程設(shè)計
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提升30%效率的新版本Incisive Enterprise Simulator
近日,Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司推出新版本Incisive Enterprise Simulator,將復雜SoC的低功耗驗證效率提高了30%.新版本致力于解決低功耗驗證的問題,包括高級建模,調(diào)試,功率格式支持,并且為當今最復雜的SoC提供了更快的驗證方式.
2013-05-20
Cadence Incisive Enterprise Simulator
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Molex推出業(yè)內(nèi)最低的底座面高僅1.10mm存儲器技術(shù)
近日，Molex公司推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM存儲器模塊插座產(chǎn)品組合。超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm，為業(yè)內(nèi)最低；并且壓接插座的針孔型順應引腳更小，有效節(jié)省了寶貴的PCB空間，適用于較高密度的電子線路設(shè)計。
2013-05-20
Molex 存儲器
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關(guān)注電機驅(qū)動技術(shù) 提高電機效率
作為機械設(shè)備的動力源，電機是重要的工業(yè)耗能設(shè)備，廣泛應用在國民經(jīng)濟建設(shè)中的各個領(lǐng)域。在電機系統(tǒng)得到廣泛應用的同時，其問題越來越突出。目前，電機系統(tǒng)存在的問題主要有：設(shè)備效率低;系統(tǒng)匹配不合理，設(shè)備長期低負荷運行;系統(tǒng)的調(diào)節(jié)方式落后等。
2013-05-19
電機驅(qū)動
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