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HEXFET系列：IR推出采用TSOP-6封裝的MOSFET產品
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術的器件，適用于電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。
2012-04-25
HEXFET系列 IR MOSFET
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如何處理高di/dt負載瞬態（下）
在《如何處理高di/dt負載瞬態（上）》中，我們討論了電流快速變化時一些負載的電容旁路要求。我們發現必須讓低等效串聯電感（ESL）電容器靠近負載，因為不到0.5 nH便可產生不可接受的電壓劇增。實際上，要達到這種低電感，要求在處理器封裝中放置多個旁路電容器和多個互連針腳。本文中，我們將討論...
2012-04-25
di/dt 負載 瞬態
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MCP3911：Microchip電能計量AFE實現更佳電能計量性能
全球領先的整合單片機、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）日前宣布，推出其下一代電能計量模擬前端（AFE）MCP3911。該器件擁有兩個可在3V工作的24位Δ-Σ模數轉換器（ADC），提供業界領先的精度：94.5 dB的SINAD和106.5 dB的THD。通過精確測量從啟...
2012-04-25
MCP3911 Microchip 電能計量 AFE
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KNX：NXP與安森美半導體將共推新的評估板
近日，應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)與恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.) 將共推用于高能效雙絞線(TP)網絡的評估板及完備參考設計。這評估板目前正待最后階段的KNX官方認證，將于5月推出。
2012-04-25
KNX NXP 安森美半導體 評估板
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UCC2751x：德州儀器推出緊湊型高速單通道柵極驅動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導體的開關損耗。
2012-04-25
UCC2751x 德州儀器 驅動器
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臺達華麗亮相中國數控機床展
2012年4月16-20日，第七屆中國數控機床展覽會在南京國際博覽中心舉行，作為國內領先的工業自動化品牌的臺達集團隆重亮相。此次展會，臺達以“臺達全數字機床整合解決方案”為主題，全面展示了控制、驅動、運動和傳動四大產品線百余款產品，涵蓋機床及自動化行業多個領域。讓參展觀眾尤為驚喜的是，臺...
2012-04-24
臺達 數控機床展
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Brad? Micro-Change?：Molex推出8極M12 CHT連接器
近日，全球領先的全套互連產品供應商Molex公司擴展其創新Brad? Micro-Change? M12圓形混合技術(Circular Hybrid Technology，CHT)連接器系統，增添具有兩對Cat5e雙絞數據線和四條能夠承載高達6.0 A電流之電源線的新型8極(4+4)連接器產品。該Brad Micro-Change CHT連接器系統在一個連接器中結合了電...
2012-04-24
Brad? Micro-Change? Molex CHT 連接器
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如何處理高 di/dt 負載瞬態（上）
就許多中央處理器 (CPU) 而言，規范要求電源必須能夠提供大而快速的充電輸出電流，特別是當處理器變換工作模式的時候。例如，在 1V 的系統中，100 A/uS 負載瞬態可能會要求將電源電壓穩定在 3% 以內。解決這一問題的關鍵就是要認識到這不僅僅是電源的問題。
2012-04-24
電源 雙極 驅動器 電源設計小貼士
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TS3000GB0A0:IDT推出針對固態硬盤的高精度溫度傳感器
擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 近日宣布推出面向超低功耗固態硬盤應用的全新精密溫度傳感器產品系列。新的器件系列可將功耗降至最低、優化材料清單成本（BOM），并與針對高容量內存模塊的...
2012-04-24
TS3000GB0A0 IDT 溫度傳感器
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