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CES2017中國(guó)芯高性能計(jì)算平臺(tái)發(fā)布 CPU性能無(wú)限疊加
在CES2017展前媒體公開(kāi)日，瑞芯微Rockchip向全球公布了基于RK3399多芯片的“高性能計(jì)算”平臺(tái)。最大亮點(diǎn)在于可采取芯片間高速互聯(lián)總線，多芯片協(xié)同工作。
2017-01-06
CES2017 CPU 瑞芯微
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避免MEMS/傳感器發(fā)生誤判，我有招——信號(hào)調(diào)理
我們每天都聽(tīng)到說(shuō)物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)十億的MEMS和傳感器將添加到我們的環(huán)境中，但是請(qǐng)不要忘記，若沒(méi)有對(duì)MEMS/傳感器接口進(jìn)行適當(dāng)?shù)男盘?hào)調(diào)理，我們發(fā)送給處理器的將只是無(wú)法反映用戶相關(guān)結(jié)果的無(wú)用數(shù)據(jù)。
2017-01-06
MEMS 傳感器 ADAS
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數(shù)字電路PCB設(shè)計(jì)中的EMC/EMI控制技術(shù)
隨著IC 器件集成度的提高、設(shè)備的逐步小型化和器件的速度愈來(lái)愈高，電子產(chǎn)品中的EMI問(wèn)題也更加嚴(yán)重。從系統(tǒng)設(shè)備EMC /EMI設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)來(lái)看，在設(shè)備的PCB設(shè)計(jì)階段處理好EMC/EMI問(wèn)題，是使系統(tǒng)設(shè)備達(dá)到電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)最有效、成本最低的手段。本文介紹數(shù)字電路PCB設(shè)計(jì)中的EMI控制技術(shù)。
2017-01-05
數(shù)字電路 PCB設(shè)計(jì) EMC/EMI控制技術(shù)
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技術(shù)市場(chǎng)趨勢(shì)：雙向DC/DC電源的技術(shù)之路咋走？
隨著我們的發(fā)展，我們預(yù)計(jì)2017年將會(huì)出現(xiàn)更多這種采用雙向DC/DC轉(zhuǎn)換器架構(gòu)的應(yīng)用。我們甚至看到了全SiC DC/DC雙向DC/DC轉(zhuǎn)換器。GaN也是一種會(huì)用于這些系統(tǒng)的功率元件，因此我們也有望看到更多采用該技術(shù)的設(shè)計(jì)。
2017-01-05
DC/DC電源 電源技術(shù)
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器件選型：如何為微電子電路設(shè)計(jì)選擇合適電容
當(dāng)你在選擇電容時(shí)，面對(duì)形形色色的該如何選擇呢？筆者分別來(lái)談一談常見(jiàn)的一些電容和其普遍的適用范圍。注意:電容種類(lèi)實(shí)在太多，所以這里只會(huì)涉及微電子電路設(shè)計(jì)中常見(jiàn)電容的使用的。譬如那些什么可變電容，超級(jí)電容等等暫時(shí)先不會(huì)覆蓋到。
2017-01-05
電路設(shè)計(jì) 電容 微電子
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實(shí)例分析：去耦合對(duì)電磁兼容到底有啥影響
在考慮配電網(wǎng)(PDN)阻抗與同時(shí)開(kāi)關(guān)噪聲(SSN)和電磁兼容性(EMC)的關(guān)系時(shí)，了解去耦合的影響至關(guān)重要。如果一個(gè)PCB的功率完整性或去耦合特性較差，例如高PDN阻抗， 就會(huì)產(chǎn)生SSN和EMC問(wèn)題。本文將通過(guò)實(shí)際案例，來(lái)證實(shí)PCB的PDN阻抗、SSN和EMC之間的關(guān)系。
2017-01-05
去耦合 電磁兼容
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暢想下：60年后PCB到底會(huì)是個(gè)什么樣子？
來(lái)暢想下，60年后 PCB是什么樣子呢？或許電子產(chǎn)品中必備的PCB讓我們熟悉的快忘記它了，從而也忽略了它若干年來(lái)的持續(xù)創(chuàng)新，事實(shí)上，無(wú)論是從尺寸、精度、還是從材料，PCB一直都默默改進(jìn)，一直追隨者元器件發(fā)展的腳步。
2017-01-05
PCB PCB技術(shù)
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觸發(fā)雙向可控硅——有效克服正負(fù)電壓設(shè)計(jì)難題
對(duì)于不經(jīng)常使用雙向可控硅的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，「負(fù)電壓」可能聽(tīng)起來(lái)很奇怪，因?yàn)槭澜缟喜豢赡艽嬖诓捎秘?fù)電壓工作的集成電路。然而，正如本文所述，從正輸出驅(qū)動(dòng)雙向可控硅僅需簡(jiǎn)單的解決方案即可，但在某些時(shí)候，采用負(fù)輸出驅(qū)動(dòng)雙向可控硅更為合適。
2017-01-04
電壓設(shè)計(jì) 雙向可控硅
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分析引起較高時(shí)鐘頻率仿真失敗的原因
通常如果你的設(shè)計(jì)在較低時(shí)鐘頻率時(shí)通過(guò)了仿真，但是在較高時(shí)鐘頻率時(shí)卻失敗了，你的第一個(gè)問(wèn)題應(yīng)該是你的設(shè)計(jì)在某個(gè)較高時(shí)鐘頻率時(shí)是否達(dá)到了時(shí)序約束的要求。
2017-01-04
時(shí)鐘頻率 仿真
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