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USB Type-C電源設(shè)計面臨的三大問題
USB Type-C?標準正在迅速獲得推動力，其關(guān)鍵亮點之一是可通過USB接口提供高達100瓦功率的機制。USB功率傳輸(USB-PD)功能的采用如今已成為AC適配器、筆記本電腦、平板電腦、智能手機等移動領(lǐng)域的主要趨勢。在下一代USB設(shè)計中實現(xiàn)電源傳輸功能時，身份驗證，過壓保護和緊湊外形是關(guān)鍵挑戰(zhàn)。
2018-12-05
USB Type-C 電源設(shè)計
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如何區(qū)分聚合物鉭電容和普通鉭電容？
鉭電容全稱是鉭電解電容（也有人叫鉭質(zhì)電容器），屬于電解電容的一種，使用金屬鉭做介質(zhì)，不像普通電解電容那樣使用電解液，因此適合在高溫下工作，是電容器中體積小而又能達到較大電容量的產(chǎn)品，在電源濾波、交流旁路等用途上少有競爭對手。
2018-11-29
聚合物鉭電容 普通鉭電容
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SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法
針對目前雜散電感提取方法存在的問題，本文提出了一種適用于SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法，并基于SiC功率器件的開關(guān)瞬態(tài)特性測試平臺對本文所提雜散電感提取方法的可行性進行了驗證。與現(xiàn)有的間接測量方法不同，該方法是基于SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)振蕩頻率求解換流回路雜散電感。
2018-11-29
SiC MOSFET 電感
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功率MOSFET線性區(qū)負溫度系數(shù)
功率MOSFET工作在線性區(qū)用來限制電流，VGS電壓低，通常在負溫度系數(shù)區(qū)，局部單元過熱導致其流過更大的電流，結(jié)果溫度更高，從而形成局部熱點導致器件損壞，這樣就形成一個熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability)，發(fā)生于VGS低于溫度系數(shù)為0（ZTC）的負溫度系數(shù)區(qū)。
2018-11-29
MOSFET 負溫度系數(shù) 電勢
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電源造成的車輛怠速啟停不穩(wěn)問題該怎么辦？
怠速啟停時的電池電壓下降引起的功能不全、怠速啟停后的電池電量波動(啟動)引起的誤動作等問題也是亟需要解決的問題。為此，羅姆開發(fā)出了優(yōu)異的低消耗電流和穩(wěn)定性能(瞬態(tài)響應(yīng)特性，以下簡稱“響應(yīng)性能”)的升降壓電源芯片組。
2018-11-28
電源 怠速啟停
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熟知引起電源模塊發(fā)熱的四大原因
一摸電源模塊的表面，熱乎乎的，模塊壞了？且慢，有一點發(fā)熱，僅僅只是因為它正努力地工作著。但高溫對電源模塊的可靠性影響極其大！基于電源模塊熱設(shè)計的知識，這一次，我們扒一扒引起電源模塊發(fā)熱的原因。
2018-11-28
電源模塊 電源發(fā)熱
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功率MOSFET線性區(qū)工作設(shè)計
功率MOSFET有三個工作狀態(tài)，在漏極導通特性曲線上，對應(yīng)的是三個工作區(qū)：截止區(qū)，線性區(qū)和可變電阻區(qū)。注意到：MOSFET的線性區(qū)有時也稱為：恒流區(qū)或飽和區(qū)。
2018-11-28
MOSFET 開關(guān)電源
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分享30條開關(guān)電源工作小技巧
電源開發(fā)是個技術(shù)活，也是個累活，工作繁雜時難免會犯一些低級小錯誤。這些錯誤，會導致一系列的連鎖反應(yīng)，需要采購部、生產(chǎn)部、PM、品管部、業(yè)務(wù)部、工程部等眾多部門來配合，以修正你的那個小錯誤。
2018-11-27
開關(guān)電源 變壓器 電阻器
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你知道SiC MOSFET驅(qū)動負壓應(yīng)該如何選擇嗎？
SiC MOSFET與Si MOSFET在特定的工作條件下會表現(xiàn)出不同的特性，其中重要的一條是SiC MOSFET在長期的門極電應(yīng)力下會產(chǎn)生閾值漂移現(xiàn)象。以下將講解如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法。
2018-11-27
MOSFET 驅(qū)動負壓 Vth漂移
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