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新型電源柵極驅動器設計
高功率電平帶來更高的系統電壓，轉換器內所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅動器，它的高電源/輸出驅動電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應用和IGBT/SiC FET應用的理想選擇。
2013-05-17
IGBT MOSFET 電源柵極驅動器
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孰優孰劣:氮化鎵場效應晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認為當應用需要更高電壓時，使用氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優勢。但是，如果只是考慮開關品質因數，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優勢好像減弱了。GaN場效應晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉換器應用中的性能到底怎樣？且聽本文細細分解。
2013-05-16
氮化鎵場效應晶體管 硅功率器件
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Vicor零電壓DCDC轉換器 挑戰環境嚴苛、空間受限應用
Vicor擴展Picor旗下的隔離式Cool-Power ZVS DC-DC轉換器，提供高密度 (334 W/in3) 方案。該轉換器連接QuietPower有原EMI濾波器, 將進一步提升整個的模塊式方案的性能,適合嚴苛的，空間受限的工業和航空、國防應用。
2013-05-15
轉換器 電源 濾波器 Vicor
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硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現使市場快速接受開關電源，硅功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強型GaN HEMT器件在開關性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領市場。硅功率MOSFET在電源轉換領域的發展已經走到盡頭了嗎？
2013-05-15
MOSFET 電源轉換 GaN
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實例講解：基于LTM4620的電源穩壓器設計
設計師都希望能夠找到準確和能在低電壓提供大的負載電流同時占用很少系統電路板空間的電源解決方案。本文介紹的一種新的高密度和可擴展的 LTM4620 微型模塊穩壓器，具備卓越的電氣性能、低功率損耗和獨特的耐熱增強型封裝設計，可幫助克服高功率密度挑戰。
2013-05-15
穩壓器 電源穩壓器 LTM4620 Linear
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第三講：基于MOSFET的高能效電源設計
通過結合改進的電源電路拓撲和概念與改進的低損耗功率器件，開關電源行業在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經歷革新性發展。MOSFET是中低電壓電源應用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能...
2013-05-14
MOSFET 高能效 電源
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可滿足新一代平板電腦充電器需求的15A超級勢壘整流器
近日，Diodes公司新推出一款額定電流值15A的超級勢壘整流器SBR15U50SP5，該整流器采用PowerDI-5封裝，使充電器的設計更細小纖薄。十分適用于新一代智能手機及平板電腦充電器。
2013-05-14
整流器 充電器 平板電腦
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Linear專家講解：基于LT8300的隔離型反激式轉換器設計
隔離型電源可提供接地分離，因而能夠消除引起顯示器異常的噪聲。基于 LT8300 的電路無需光耦合器，簡化了隔離型反激式轉換器的設計，而且可以方便地購得現成有售的變壓器，并不需要定制變壓器。適用于種類繁多的醫療、工業、電信和數據通信應用。
2013-05-14
轉換器 電源 隔離 噪聲
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ST、英飛凌齊推超結MOSFET 皆青睞TO247-4封裝技術
近日，意法半導體（ST）推出首款MDmesh V超結MOSFET晶體管，擴大其高能效功率產品陣容。該產品采用了創新的4針封裝，增加專用控制輸入。新封裝技術可提高白色家電、電視、個人電腦、電信設備和服務器開關電源等設備的功率電路能效。
2013-05-11
MOSFET TO247-4封裝 超結器件 STW57N65M5-4
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