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SiR640DP/SiR662DP:Vishay Siliconix推出新款N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝，具有業內最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優值系數。
2011-04-01
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SL353系列：霍尼韋爾推出微功耗全極數字式霍爾效應傳感器集成電路
霍尼韋爾旗下傳感與控制部近日宣布推出SL353系列“微功耗全極數字式霍爾效應傳感器集成電路”。SL353系列采用BiCMOS IC設計，這是霍尼韋爾的一項新技術，相對雙極技術而言，該技術在增添更多性能和功能的同時減小集成電路的尺寸。
2011-04-01
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PM2300:ST-Ericsson推出電源管理新品可把充電時間縮短50%
全球移動平臺和半導體領域的領導者ST-Ericsson推出一款電源管理解決方案，該解決方案可大大縮短移動設備在墻式插座上的充電時間。 這一創新成果是ST-Ericsson新推出的PowerHUBTM產品家族的成員之一，該產品能夠收集各種來源的能源，不僅可讓用戶更快地為移動設備充電，還有助于降低溫室氣體排放。
2011-04-01
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大功率電源模塊的散熱設計
用傳統的熱設計理論及經驗公式對電源模塊內的四個50W大功率管進行了散熱設計，應用熱分析軟件Icepak對理論計算進行了校核,并對方案進行了優化設計。
2011-04-01
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3D主動快門式眼鏡標準出臺
Panasonic株式會社和X6D公司(XPAND 3D)宣布制定了旨在支持可兼容3D電視、3D投影機以及3D影院的3D主動快門式眼鏡標準M-3DI(*)。
2011-03-31
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ADI推進模擬設計模塊化進程
當今的電子設計工程師面對著越來越多的挑戰，在學習和整合更多的專業知識的同時，他們還被要求提交更優化的設計、壓縮研發周期。這一矛盾在需要長期的知識和經驗積累的模擬設計領域，顯得尤為嚴峻。為此，模擬IC公司也在不斷提供更多的增值服務，幫助工程師應對挑戰。對此，ADI公司提出了提出了一個新對策——為工程師提供經過測試驗證的、模塊化的實驗室電路（Circuit from the Lab），ADI希望運用這樣的模塊電路，工程師能夠快設計出自己所需的電路系統。目前，ADI正在全球范圍內力推其這一最新的概念
2011-03-31
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深析地震對國內面板影響:有危也有機
日本布局著大量面板相關供應鏈生產工廠，包括面板廠、玻璃基板、彩色濾光片、偏光板、LED芯片、半導體IC等。群智咨詢分析得出結論，日本強震可使中國面板行業在二、三季度出現短期性缺貨，國內高世代面板生產自主化進程延期。以下從設備供應和面板材料兩方面進行深入分析。
2011-03-30
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CMIC：2015年全球LTCC總產值將突破30億美元
目前LTCC技術已經進入更新的應用階段，包括無線局域網絡、地面數字廣播、全球定位系統接收器組件、數字信號處理器和記憶體等及其他電源供應組件甚至是數位電路組件基板。隨著通訊、電腦和汽車電子產品的廣泛應用，低溫共燒陶瓷（LTCC）技術將成為世界電感制造業的重大發展趨勢。
2011-03-30
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2011慕尼黑電子展之星---懷格Vicor
2011慕尼黑電子展之星---懷格Vicor
2011-03-30
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巴西2011年銅需求或增長11%將主要用于電纜
巴西銅生產商協會Sindicel會長Sergio Aredes表示，2011年巴西銅需求可能增長11%，2012年增幅更甚，因該國為準備2014年世界杯和2016年奧林匹克運動會而向基礎設施建設投資。隨著建設進行，原油、礦業和汽車工業增長加速。
2011-03-29
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PFM VI BRICK：Vicor推出隔離式AC-DC轉換器用于提高產品供電效率
Vicor 最新發布的PFM? VI BRICK?模塊是一個帶功率因素校正的隔離式AC-DC轉換器。 它采用Adaptive Cell?架構，令模塊在整個全球通用輸入電壓范圍穩定地維持在高效率水平。 PFM?模塊在48V(SELV)輸出時最高功率是300W，高度只有9.5mm。
2011-03-28
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CFSH2-3L：Central推出采用SOD-882L封裝的低VF肖特基二極管
Central Semiconductor公司公布了采用低空間占用的SOD-882L封裝的CFSH2-3L低VF肖特基二極管。新元件的反向重復峰值電壓為30V，最大正向電流為200mA。CFSH2-3L前端電壓下降很低，10mA下240mV，非常適用于空間有限而且又需要超高能效的設計。
2011-03-28
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