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一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-06-26
安森美 SiC JFET并聯(lián)技術(shù) 固態(tài)斷路器解決方案 大電流SiC JFET Combo JFET結(jié)構(gòu)
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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設(shè)計(jì)中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。一個(gè)設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對(duì)負(fù)載變化和輸入電壓波動(dòng)的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。
2025-06-25
LTspice 波特圖分析 控制回路仿真 開關(guān)穩(wěn)壓器 電源穩(wěn)定性優(yōu)化 相位裕度 增益帶寬
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EA電池模擬器：重構(gòu)電池研發(fā)全流程的技術(shù)引擎
在新能源產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長的背景下，電池技術(shù)已成為制約電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程、消費(fèi)電子產(chǎn)品體驗(yàn)、可再生能源儲(chǔ)能效率的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)電池研發(fā)模式依賴大量物理原型迭代，不僅面臨周期長、成本高的挑戰(zhàn)，更難以覆蓋極端工況下的性能驗(yàn)證。EA電池模擬器的出現(xiàn)，通過構(gòu)建電池的數(shù)字孿生模型，為工程師提供...
2025-06-25
EA電池模擬器 電池仿真技術(shù) 雙向直流電源 電池內(nèi)阻測(cè)試 電池模擬軟件
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安森美SiC技術(shù)賦能AI數(shù)據(jù)中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數(shù)據(jù)中心正面臨前所未有的能耗挑戰(zhàn)。面對(duì)大模型訓(xùn)練、實(shí)時(shí)推理等場(chǎng)景帶來的指數(shù)級(jí)能耗增長，全球領(lǐng)先的智能電源與感知技術(shù)供應(yīng)商安森美（onsemi）正式推出《AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南》，首次系統(tǒng)性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技術(shù)的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中...
2025-06-25
安森美 碳化硅 數(shù)據(jù)中心電源 AI服務(wù)器供電方案 SiC技術(shù) 數(shù)據(jù)中心能效提升 系統(tǒng)方案指南
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芯耀蓉城！西部電博會(huì)半導(dǎo)體專區(qū)全產(chǎn)業(yè)鏈集結(jié)
2025年7月9日至11日，第十三屆中國（西部）電子信息博覽會(huì)將于成都世紀(jì)城新國際會(huì)展中心8、9號(hào)館盛大啟幕！本屆展會(huì)匯聚500余家行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)、30余個(gè)專業(yè)買家團(tuán)，預(yù)計(jì)吸引2萬名觀眾共襄盛舉。展會(huì)同期舉辦多場(chǎng)高端論壇、技術(shù)賽事及供需對(duì)接活動(dòng)，其中半導(dǎo)體專區(qū)將集中展示產(chǎn)業(yè)鏈前沿成果，成為行業(yè)...
2025-06-25
2025西部電博會(huì) 半導(dǎo)體專區(qū) 成都電子信息博覽會(huì) 西部半導(dǎo)體展會(huì) 功率半導(dǎo)體展會(huì)
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破局電動(dòng)車?yán)m(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場(chǎng)的全新跨界純電動(dòng)汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
羅姆 豐田bZ5 電驅(qū)技術(shù) 第四代SiC MOSFET 車規(guī)級(jí)碳化硅模塊 電動(dòng)車牽引逆變器
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馴服電源幽靈：為敏感器件打造超低噪聲供電方案
在射頻通信、精密測(cè)量、高分辨率數(shù)據(jù)采集等尖端領(lǐng)域，毫伏級(jí)的電源噪聲都可能成為性能的致命殺手。鎖相環(huán)（PLL）的相位噪聲惡化、壓控振蕩器（VCO）的輸出頻率漂移、高分辨率模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的有效位數(shù)（ENOB）下降——這些敏感電路的卓越性能，無一不建立在超低噪聲、超高純凈度的電源基礎(chǔ)之上。本...
2025-06-24
超低噪聲電源設(shè)計(jì) 射頻電源解決方案 μV級(jí)電源噪聲 低噪聲LDO 低噪聲電源模塊
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- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
