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英飛凌 HYPERRAM?存儲芯片通過 AMD 驗(yàn)證
全球半導(dǎo)體領(lǐng)域兩大領(lǐng)軍企業(yè)達(dá)成重要合作成果——英飛凌與AMD成功完成關(guān)鍵技術(shù)驗(yàn)證，雙方聯(lián)合推出的存儲解決方案為嵌入式人工智能（AI）領(lǐng)域帶來突破性進(jìn)展。英飛凌64MB HYPERRAM?存儲芯片及配套控制器IP，在AMD Spartan? UltraScale+? FPGA SCU35評估套件上的測試表現(xiàn)優(yōu)異為邊緣嵌入式AI應(yīng)用的研發(fā)及...
2025-12-18
存儲芯片 AMD UltraScale FPGA 英飛凌
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微信截圖_20251218104056.png "GHz 頻段的射頻功率測量方案：BAT62-02W 二極管傳感器制作")
GHz 頻段的射頻功率測量方案：BAT62-02W 二極管傳感器制作
在無線電技術(shù)實(shí)踐領(lǐng)域，GHz頻段設(shè)備的研發(fā)與制作常受困于信號測量。頻率與幅度作為射頻信號的核心表征參數(shù)，目前平價3GHz頻率計數(shù)器雖容易獲取，但射頻功率計成本較高難以普及。DL5NEG分享的技術(shù)方案提供了有效解決路徑：通過BAT62-02W二極管搭建低成本射頻功率傳感器，能將射頻信號轉(zhuǎn)為直流電壓以...
2025-12-18
BAT62-02W 二極管 傳感器 GHz 頻段設(shè)備 射頻功率計
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10nm以下DRAM，三星DRAM技術(shù)突破存儲行業(yè)版圖
10納米以下節(jié)點(diǎn)的技術(shù)突破成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵門檻。三星電子與三星綜合技術(shù)院聯(lián)手，在IEEE國際電子器件會議上公布了——可用于10納米以下制程DRAM的高耐熱核心技術(shù)，為這一領(lǐng)域帶來了歷史性突破。這項(xiàng)以非晶態(tài)銦鎵氧化物材料為核心的創(chuàng)新，不僅攻克了CoP架構(gòu)量產(chǎn)的高溫工藝難題，更以扎實(shí)的穩(wěn)定性數(shù)據(jù)...
2025-12-18
三星電子 DRAM 技術(shù) 半導(dǎo)體晶體管 存儲技術(shù)
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村田參展CES 2026
株式會社村田制作所（以下簡稱“村田”）將出展2026年1月6日至1月9日在美國拉斯維加斯舉辦的國際科技展會CES 2026。村田將在展位上重點(diǎn)展示移動出行、智能網(wǎng)聯(lián)、健康管理等領(lǐng)域的技術(shù)，以及幫助提升生活安全度與舒適性的解決方案和設(shè)備。
2025-12-18
村田
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2025智能戒指排名前十選購指南:從健康監(jiān)測到穿戴的全面解析
近年來,可穿戴設(shè)備市場正經(jīng)歷一場由“手腕”向“手指”的悄然遷移。據(jù)IDC《2025年全球可穿戴設(shè)備趨勢報告》顯示,智能戒指品類在2024年出貨量同比增長達(dá)187%,預(yù)計2026年市場規(guī)模將突破50億美元。
2025-12-18
智能戒指
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邁來芯單線圈驅(qū)動芯片：二十載深耕，實(shí)現(xiàn)無代碼開發(fā)與高能效雙突破
電機(jī)作為智能設(shè)備的動力基石已深度滲透各領(lǐng)域，消費(fèi)電子等行業(yè)對其微型化、低成本與高能效的需求，推動高密度集成解決方案成為競爭核心。自1999年推出首款兩線圈風(fēng)扇驅(qū)動器起，邁來芯深耕單線圈無刷直流電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域二十余年，實(shí)現(xiàn)了從基礎(chǔ)控制到全棧集成智能方案的躍遷。其單線圈驅(qū)動芯片采用全功...
2025-12-17
邁來芯 單線圈 電機(jī)驅(qū)動 智能設(shè)備動力
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微信截圖_20251217152816.png "工業(yè)智能化利器：樹莓派的多元應(yīng)用與優(yōu)勢")
工業(yè)智能化利器：樹莓派的多元應(yīng)用與優(yōu)勢
樹莓派憑借其與生俱來的靈活性完成了向工業(yè)級平臺的華麗轉(zhuǎn)身。如今，涵蓋樹莓派5、計算模塊及Pico系列的產(chǎn)品矩陣，已構(gòu)建起適配多樣化需求的解決方案體系，精準(zhǔn)契合邊緣計算、傳感器控制等工業(yè)場景。在工業(yè)4.0向工業(yè)5.0演進(jìn)的浪潮中，樹莓派以多核ARM處理器的性能優(yōu)勢、豐富的I/O接口與連接能力，以...
2025-12-17
樹莓派 工業(yè)應(yīng)用 邊緣計算 工業(yè) 4.0
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