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SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)電壓
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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動(dòng)汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅(qū)動(dòng)
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時(shí)代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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適合工業(yè)應(yīng)用的魯棒SPI/I2C通信
對于控制器和外設(shè)之間的短距離電路板內(nèi)連接，串行外設(shè)接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實(shí)上的通信標(biāo)準(zhǔn)。由于存在廣泛的硬件和軟件支持，SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器制造商廣泛采用。當(dāng)控制器和外設(shè)位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠(yuǎn)（不大于1米）時(shí)...
2022-06-14
工業(yè)應(yīng)用 SPI ADI
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新推出的同步SAR模數(shù)轉(zhuǎn)換器的片內(nèi)校準(zhǔn)優(yōu)勢
本文評(píng)估在電阻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)前面的外部電阻的影響。這些系列的同步采樣ADC包括一個(gè)高輸入阻抗電阻可編程增益放大器(PGA)，用于驅(qū)動(dòng)ADC和縮放輸入信號(hào)，允許直接連接傳感器。但是，有幾個(gè)原因?qū)е略谠O(shè)計(jì)期間，我們最終會(huì)在模擬輸入前面增加外部電阻。以下部分從理論上解釋預(yù)期的增益誤差，該誤差...
2022-06-14
SAR 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 ADI
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手機(jī)無線充電器壞了
對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機(jī)無線充電器進(jìn)行拆卸，觀察其內(nèi)部電路工藝設(shè)計(jì)。但是由于電路上主要芯片型號(hào)文字顯示不清，故此對于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手機(jī) 無線充電器
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