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低壓差穩壓器LDO的基本原理與主要參數
取樣電壓加在比較器A的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準電壓Uref相比較，兩者的差值經放大器A放大后，控制串聯調整管的壓降，從而穩定輸出電壓。
2021-11-29
低壓差穩壓器LDO
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穩壓管的4種應用電路
穩壓二極管(又叫齊納二極管)它的電路符號是：此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件。
2021-11-29
穩壓管 應用電路
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連接SPI接口器件 - 第二部分
單個時鐘域SPI實現的思路與兩個時鐘域非常相似。這里為了便于演示沒有使用PLL。同時，也不需要sync_stage模塊。由于是單個時鐘，需要clock_generator來生成dac_sck所需的時鐘下降沿條件，dac_sck則用作狀態機dac_fsm的觸發條件。
2021-11-29
SPI接口器件
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連接SPI接口器件 - 第一部分
LEC2 Workbench系列技術博文主要關注萊迪思產品的應用開發問題。這些文章由萊迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA設計專家撰寫。LEC2是專門針對萊迪思屢獲殊榮的低功耗FPGA和解決方案集合的全球官方培訓服務供應商。
2021-11-29
SPI接口器件
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MOSFET性能改進：RDS(ON)的決定因素
許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結構，而小于200V的產品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結構。因此，當耐受電壓VDSS＝600V時，Rdrift成為主導因素，當耐受電壓是30V時，因素Rch的比例較高。
2021-11-29
MOSFET RDS
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移動設備的 ESD 設計戰略：您的 SEED 工具
我們在第 1 部分介紹了 ESD 的基本概念以及系統高效 ESD 設計 (SEED)。本博客將為您介紹 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分將介紹如何將 SEED 方法及建模和模擬一起用于優化系統級手機設計。
2021-11-29
移動設備 ESD 設計戰略
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做好準備：關于 ESD 和 RF 設備您需要了解什么
靜電放電 (ESD) 現象從一開始就存在。我們第一次接觸 ESD 往往是在孩童時代，在干燥的冬日觸碰金屬門把手時，會有種觸電的感覺——這就是靜電放電。這種短暫的不適感通常對人類來說不是問題，但是即使是少量的 ESD 也有可能會損毀敏感電路。
2021-11-29
ESD RF設備
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